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本文的主要工作是讨论如何实现一个具有复合耐压层结构的DMOS器件。工作包括器件结构选取、工艺流程设计、版图实现、流片及后续工作等。我们在综合考虑各种复合耐压层实现方式的优劣以及合作方工艺线的生产能力和工艺特点之后，选取了在n外延片上挖深槽和在槽内异性外延p型Si的基本工艺来形成复合耐压层。顶层结构在流片中将采用普通平面VDMOS的平面栅结构，以确保器件基本特性尽快显现。终端将采用与元胞区相类似的P/N相间结构。