埋氧层相关论文
本文提出一种基于SDB技术的非平面双介质埋层SOI材料研制方法。通过高压氧化获得高质量第一埋氧层,进而化学气相淀积多晶硅,运用化......
提出了双面阶梯埋氧层部分绝缘硅(silicon oninsulator,SIO)高压器件新结构.双面阶梯埋氧层的附加电场对表面电场的调制作用使表面......
基于热噪声原理,更长、更薄、更窄的高品质因数(Q值)微悬臂梁,是高灵敏力探测器.在制作高灵敏微悬臂梁实验中,发现SOI埋氧层薄膜会......
提出了一种可用于高压SOILDMOS器件的SOI材料的工艺制备技术。通过该工艺技术，获得了第一埋氧层图形化的Si/SiO2/Poly/SiO2/Si5......
介绍了SOI MOS单管三种总剂量辐照偏置条件，及其对器件阈值电压漂移的影响。指出埋氧层加固是抗总剂量的重要技术手段。采用抗辐照......
通过对载流子扩散机理的研究,由数学公式的推导,得到陷阱电荷分布随电场变化的函数关系.将由medici模拟得到的3种偏置下SOI的NMOS......
本文在1.5μm埋氧层、3.μm顶层硅的SOI材料上研制了漂移区为均匀掺杂、一阶阶梯掺杂和二阶阶梯掺杂的LDMOS.实验结果表明:在漂移......
最近几年以来，基于SOI硅片的微纳加工技术——尤其在高灵敏度微悬臂梁传感器制作领域，已经得到了越来越多的研究。为了在SOI片上获得......
绝缘体上硅（Silicon on Insulator，SOI）横向绝缘栅双极型晶体管（Lateral Insulated Gate BipolarTransistor，LIGBT）具有耐压高、驱动电流......
本文分析了微电子新技术Strained-SOI MOS器件的基本结构,讨论了用注氧隔离的方法制备器件的方法与步骤,阐述了Strained-SOI MOS器......
介绍了一种对具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析设计方法．在对电场分析的基础上，提出了新的电离率模型，并求出了电离率积分的准......
SOI（绝缘体上硅）器件在总剂量辐照下的主要性能退化是由于SOI器件的背栅阈值电压漂移引起的背沟道漏电。本文首先采用二维有限元方法......
利用低剂量、低能量的SIMOX(separation by implanted oxygen)图形化技术实现了深亚微米间隔埋氧层的制备．在二氧化硅掩膜尺寸为172......
期刊
通过求解具有界面电荷边界条件的二维泊松方程,建立了埋氧层固定界面电荷Qf对RESURF SOI功率器件二维电场和电势分布影响的解析模......
介绍了SOI／Pyrex玻璃静电键合的实验过程和实验现象，利用电流表对静电键合电流进行测量。发现埋氧层厚度越厚，键合电流越小，键合波扩散......
提出一种基于SDB技术的非平面埋氧层SOI材料制备方法.其关键技术包括：通过干法刻蚀、高压氧化和淀积二氧化硅获得高质量非平面埋氧......
运用阳极键合技术，对绝缘体上硅（SOI）／玻璃进行阳极键合实验，发现当埋氧层厚度超过500nm时，键合很难成功．分析了SOI埋氧层厚度对耗尽层电......
详细研究了一种基于薄埋氧层及三层顶层硅衬底(Triple-Layer Top Silicon,TLTS)的SOI高压LDMOS器件。该结构在SOI介质层上界面的顶......
高压功率器件与低压集成电路器件之间的隔离问题是功率集成电路研究的重点问题之一。由于SOI(Silicon-on-Insulator)技术能为功率......
