【摘 要】
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本文主要报道了由单个微波脉冲诱发CMOS反相器产生闩锁效应的研究成果。利用器件物理仿真，研究了闩锁效应与微波脉冲参数，如脉冲宽度、脉冲频率等的关系。仿真结果表明，在所
【机 构】
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清华大学 电子工程系,微波与数字通信技术国家重点实验室,北京 100084
【出 处】
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2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会
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本文主要报道了由单个微波脉冲诱发CMOS反相器产生闩锁效应的研究成果。利用器件物理仿真，研究了闩锁效应与微波脉冲参数，如脉冲宽度、脉冲频率等的关系。仿真结果表明，在所研究的脉冲宽度范围内，引起闩锁效应的功率阈值与脉冲宽度基本成反比，同时能量阈值基本保持相同。另外通过仿真结果观察到，微波脉冲对于引起闩锁效应的影响在较高的频率受到一定的抑制，这主要是由于半导体材料中的载流子的性质所决定的。此外，本文基于仿真结果以及文献中的实验结果，首次提出一个半经验理论模型。采用该理论模型，可以定量地评估脉冲宽度和脉冲频率对于引起闩锁效应的影响。
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