【摘 要】
：
AuSn20 eutectic solder is extensively employed in the electronic packaging of optoelectronic and high-powered electronic components[1,2,3] due to its superior mechanical and thermal conduction propert
【机 构】
：
School of Chemistry and Chemical Engineering,Sun-Yat Sen University,Guangdong,Guangzhou,510275
论文部分内容阅读
AuSn20 eutectic solder is extensively employed in the electronic packaging of optoelectronic and high-powered electronic components[1,2,3] due to its superior mechanical and thermal conduction properties[4].The AuSn20 eutectic consists of AuSn and Au5Sn phases[5] with a Sn content of 20 wt.％[6].AuSn20 solder is commonly prepared by powder compacting [7] or sputtering [8] methods due to the incompatibility of Au and Sn.
其他文献
LiFePO4作为一种新型的锂离子电池正极材料,以其原料来源广、热稳定性高、环境友好无污染等优点而成为最具潜力的正极材料之一.以矿石的形式存在于自然界中的LiFePO4,由于杂质含量高,导电性能差,不能直接作为锂离子电池正极材料使用,作为电池正极材料使用的LiFePO4基本上都是由人工合成的.
锂离子电池正极材料尖晶石锰酸锂不仅具有安全性能好、倍率性能高、原料成本廉价,还具有工作电压高、放电平台平稳、合成容易、对环境友好等优点[1],因此尖晶石锰酸锂是储能电池和动力电池的首选正极材料,是很有应用前景的锂离子电池正极材料之一[2].
金属有机骨架材料(MOFs)是一类由金属离子与配体结合的新型多孔材料,由于具有较大的孔隙和比表面积,常常用于气体的分离,吸附/储存,催化,以及应用于化学传感器等.最近Jing-Yun Ye等人[1]将HKSUT-1用于CO的催化研究.
局部腐蚀是导致金属构造及性能破坏的腐蚀形态之一.从微观尺度考虑,局部腐蚀过程取决于金属微结构及同时存在的化学(如电化学反应)及物理(如钝化膜组成、结构)因素.
用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)辅助共沉淀法制备出Ni、Mn的氢氧化物前驱体,再与氢氧化锂进行固相反应,得到纳米尺度的LiNi0.5Mn1.5O4.所得产物的形貌和结构用粉末X射线衍射仪、扫描电镜和透射电镜等进行表征；产物用作锂离子电池正极材料的电化学性能用充放电、交流阻抗及循环伏安等方法进行研究.结果表明,PVP影响前驱物Ni0.5Mn1.5(OH)4的形貌,进而控制LiNi0.5Mn1.5O4颗粒大
作为锂离子电池正极材料,与LiFePO4相比,LiMnPO4具有更高的工作电位(4.1 V vs Li/Li+),引起广泛关注.电子和离子电导率低是限制LiMnPO4的倍率容量的原因之一[1].减小粒径可以有效的缩短电子和离子传输路径,提升材料的性能[2,3].
电子转移是化学键活化的主要途径之一.有机电合成通过选择性地移去或注入电子,产生离子自由基并使官能团极性反转,从而提供了一简便、温和的使化学键键活化的方法,也使通常条件下不发生或难以发生的反应得以进行.
Zinc is the fourth extensively used metal in worldwide production and consumption[1].Films of zinc oxide readily form on the surface of Zn metal,e.g.on galvanized steel under atmospheric conditions.Th
因钢筋腐蚀引发混凝土结构过早失效不仅造成重大经济损失,甚至可能造成严重的社会问题.世界各国都在努力研究和发展钢筋混凝土腐蚀的防护技术,其中使用缓蚀剂是一种经济、方便、有效的钢筋腐蚀防护方法.
金属铪具有较高的热中子吸收截面(105±5 barn/atom)和耐高温腐蚀性能是原子反应堆最理想的控制材料,大量用作核反应堆的控制棒[1].氧化铪光学薄膜是优异的抗紫外激光破坏材料[2].在众多的高K(高介电常数)材料中,HfO2和Hf基介质材料是公认的最具前景的替代SiO2的栅介质材料[3].