【摘 要】
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高能电子对空间太阳电池的使用寿命有至关重要的影响.研究了单晶硅太阳电池IMeV电子辐照后的损伤效应.电学性能测试表明,单晶硅太阳电池的开路电压、短路电流及最大功率都随
【机 构】
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中国工程物理研究院流体物理研究所,四川绵阳621999;中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,四川绵阳621999
【出 处】
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中物院高能激光科学与技术重点实验室第三届学术交流会
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高能电子对空间太阳电池的使用寿命有至关重要的影响.研究了单晶硅太阳电池IMeV电子辐照后的损伤效应.电学性能测试表明,单晶硅太阳电池的开路电压、短路电流及最大功率都随辐照剂量的增加而明显下降,在最大剂量2×1015e/cm2时,最大功率衰减了将近50％.光谱响应分析表明,电子辐照使长波光子的量子效率衰减严重,而短波光子几乎不受影响.通过光束诱导电流扫描法测量硅电池少数载流子扩散长度,发现电子辐照后扩散长度大幅下降,在剂量大于1×1015e/cm2时扩散长度小于长波光子入射深度.用微波光电导衰减法测量单晶硅片少子寿命,与硅电池扩散长度随电子辐照剂量的变化趋势基本一致.硅材料在电子辐照过程中产生的复合中心导致的少子寿命下降,是单晶太阳电池性能下降的关键因素.
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