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测量了La、Nd稀土离子注入Si基晶片，在不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱，结果表明它们均具有蓝、紫发光峰，且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大、随退火条件的不同而改变。并对样品的发光机理作了初步探讨。
稀土La、Nd掺杂硅基薄膜光致发光特性
【摘 要】
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测量了La、Nd稀土离子注入Si基晶片，在不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱，结果表明它们均具有蓝、紫发光峰，且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大、随退火
【机 构】
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南昌大学物理系(南昌)
【出 处】
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全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2000年期
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