【摘 要】
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本文研究了功率VDMOS器件单粒子辐射损伤效应,探讨了不同粒子,不同LET值、不同入射深度、不同注量条件下,功率VDMOS器件单粒子辐射损伤差异.实验结果表明:当不同粒子照射器件
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京100029
【出 处】
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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
论文部分内容阅读
本文研究了功率VDMOS器件单粒子辐射损伤效应,探讨了不同粒子,不同LET值、不同入射深度、不同注量条件下,功率VDMOS器件单粒子辐射损伤差异.实验结果表明:当不同粒子照射器件时,器件的辐射损伤程度不同,粒子LET值越大、穿透能力越强,器件的单粒子辐射损伤越敏感;当LET值近似的不同粒子照射器件时,如果入射粒子都能穿透器件的外延层,则不同粒子对器件造成的单粒子损伤可以等价;当LET值不同的粒子照射器件时,如果入射粒子都能穿透器件的外延层,则LET值大的粒子对器件造成的单粒子损伤大.实验结果不仅为器件提升抗单粒子水平提供帮助,也为建立功率VDMOS器件单粒子试验方法及评估技术提供技术支持.
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