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本文研究了微氮直拉硅单晶中的氧化诱生层错,指出,氮能促进硅中氧的沉淀.与非含氮硅单晶相比,含氮硅单晶中引起的OSF密度较小,这可能是氧沉淀生长的延滞现象引起的.
微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错
【摘 要】
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本文研究了微氮直拉硅单晶中的氧化诱生层错,指出,氮能促进硅中氧的沉淀.与非含氮硅单晶相比,含氮硅单晶中引起的OSF密度较小,这可能是氧沉淀生长的延滞现象引起的.
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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