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给出了用于微电子化剂量仪的半导体探测器的剂量特性，研究工作表明：该探测器可以和微电子化电路结合，并在常温低偏压(1～3V)下工作，且其灵敏度可在68～316s<-1>/(R/h)之间变化。
用于微电子化剂量仪的半导体探测器特性研究
【摘 要】
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给出了用于微电子化剂量仪的半导体探测器的剂量特性，研究工作表明：该探测器可以和微电子化电路结合，并在常温低偏压(1～3V)下工作，且其灵敏度可在68～316s/(R/h)之间变化。
【机 构】
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防化研究院(北京)
【出 处】
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第十届全国核电子学与核探测技术学术年会
【发表日期】
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2000年期
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