【摘 要】
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立方氮化硼(cBN)是禁带宽度最大的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,约为6.4eV,其热导率仅次于金刚石,约13 W/cm·K,本征击穿电场高达8×106V/cm,有很高的化学稳定性、热稳定性,以及很强的抗高能粒子辐射能力,而且能够实现两性掺杂,因而在高温大功率电子器件、深紫外光电子器件等领域具有重要的应用前景.
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春,130012 吉林大学通信工
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立方氮化硼(cBN)是禁带宽度最大的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,约为6.4eV,其热导率仅次于金刚石,约13 W/cm·K,本征击穿电场高达8×106V/cm,有很高的化学稳定性、热稳定性,以及很强的抗高能粒子辐射能力,而且能够实现两性掺杂,因而在高温大功率电子器件、深紫外光电子器件等领域具有重要的应用前景.
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