【摘 要】
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本文采用变温PL谱方法研究了四种不同ZnO材科室温带边发光峰(NBE)的起源.根据具体材料的不同,在NBE中占主导地位的跃迁可能有激子复合,自由电子-中性受主跃迁,包含深能级中心
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文采用变温PL谱方法研究了四种不同ZnO材科室温带边发光峰(NBE)的起源.根据具体材料的不同,在NBE中占主导地位的跃迁可能有激子复合,自由电子-中性受主跃迁,包含深能级中心的施主-受主对复合,以及声子伴峰.本文的结果有助于对ZnO材料室温NBE起源的判断和对ZnO材料中缺陷行为的研究.
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