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nAs材料由于有窄的带隙、高的电子迁移率、小的电子有效质量等特性在电子、光电等领域有广泛的应用前景。以InAs纳米线为基元材料的电子器件显示出THz方面应用的潜力、InAs纳米线传感器也显示出对多种气体有响应,InAs纳米线器件的量子效应也有报道。
在扫描电镜中原位研究InAs纳米线的力学特性
【摘 要】
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nAs材料由于有窄的带隙、高的电子迁移率、小的电子有效质量等特性在电子、光电等领域有广泛的应用前景。以InAs纳米线为基元材料的电子器件显示出THz方面应用的潜力、InAs纳米线传感器也显示出对多种气体有响应,InAs纳米线器件的量子效应也有报道。
【机 构】
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纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京大学电子学系,北京100871
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
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2013年11期
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