InAs相关论文
以GaAs纳米线为代表的III-V族化合物半导体材料凭借着载流子迁移率高、热导率高、易于掺杂以及带隙可调节等优势，在纳米光电探测器......
利用分子束外延生长InAs单量子点样品,温度为5K时,测量了单量子点中单、双激子自发辐射的荧光(PL)光谱.研究了单、双激子发光强度......
利用MBE的方法在晶格失配的GaAs衬底上制备了新型红外探测材料InAs0.07Sb0.93薄膜。并利用电子束刻蚀的方法在InAs0.07Sb0.93薄膜......
围绕锗基InAs量子点激光器,开展了激光器腔面失效及再生的研究。研究并分析了灾变性光学镜面损伤产生的机理及其对激光器腔面的影......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明......
InAs quantum dots (QDs) grown on InxGa1-xAs/InP matrix by low pressure metal organic vapor phase epitaxy (LP-MOVPE) in n......
研究了p型(100)InAs在不同中心波长飞秒激发光(750-850 nm)作用下的太赫兹(THz)波辐射特性.这种太赫兹辐射的光谱性质与光学Dember......
通过X线衍射分析和位错腐蚀,发现在GaSb(100)晶片的中心区域容易形成呈枝蔓状分布的高密度位错聚集区,这些位错引起严重的晶格畸变......
围绕InAs（InGaAs）/GaA叠层量子点电池的制作,本文通过文献研究和对近邻面生长实验研究认为,InAs/GaAs量子点生长形貌和特性受生长环......
HgCdTe、QWIP和InAs／GaSbⅡ类超晶格被公认是第三代红外焦平面探测器的首选。主要对比分析了HgCdTe和InAs／GaSbⅡ类超晶格红外探测器......
InAs／GaSbII类超晶格作为红外探测材料具有优越的光电性能，其量子效率高，暗电流小，微带带隙可调，是第三代红外焦平面探测器的最优选材料......
采用应变InGaAs覆盖层可以实现GaAs基量子点1.3μm，但是1.55μm GaAs基量子点的制备难度要大得多，需要高In含量的覆盖层和较大的量子......
采用应变InGaAs覆盖层可以实现GaAs基量子点1.3μm，但是1.55μm GaAs基量子点的制备难度要大得多，需要高In含量的覆盖层和较大的量子......
在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料,通过改变生长方式,得到了InAs量子点和量子线.根据扫描电镜和透射电......
InAs／GaSbⅡ类超晶格以其特有的量子效率高、暗电流小、能带结构可调等材料性能和器件优势，成为第三代红外探测器技术的最佳选择之一......
The vertical and lateral interactions in a multisheet array of InAs/GaAs quantum dots are analyzed by finite element met......
以As2，O3，InCl34H2O和正硅酸乙酯为原料，通过水解、缩聚制备了xIn2O3-xAs2O3-100SiO2(x=O.5～7.5)凝胶.在氧气中加热到450℃对凝胶热处......
利用分子束外延技术制得InAs量子点样品, 采用分光光度法对样品的光致发光效率进行研究. 发现在InAs层和GaAs覆盖层之间插入隧道阻......
利用分子束外延技术制得InAs量子点样品, 采用分光光度法对样品的光致发光效率进行研究. 发现在InAs层和GaAs覆盖层之间插入隧道阻......
用MOCVD技术在偏（100）GaAs衬底上生长了发光波长在1．3μm的线状空间规则排列InAs量子点．光致发光实验表明，相对于正（100）衬底，偏（100）GaAs衬......
采用分子柬外延技术，在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs（8ML）／GaSb（8ML）超晶格中波红外光电二极管．用阳极硫化和ZnS薄膜对二极管表面进行钝......
InAs材料是第三代半导体材料的代表,被认为是未来光电子器件的组成基石,近些年来已经成为人们研究的热点。InAs是重要的窄带隙直接......
在分子束外延生长的InAs／In0.52Al0．48As／InP异质结体系中，形成InAs量子线．这些InAs量子线在生长和结构方面有一些独到的特性，并介绍了本......
采用分子束外延（MBE）方法,通过反射高能电子衍射（RH EED）强度振荡测算生长速率,利用RHEED衍射实时监控生长过程,在InAs（001）和InP（001）单晶......
量子点结构因对其内部载流子运动特有的三维限制,致使其能带出现能级分裂,从而具有了d函数形式的态密度。这一特性显著提升了量子......
本论文的研究工作是围绕课题组承担的国家973计划项目(No：2010CB327600)、国家863计划项目(No：2009AA03Z417)、国家自然科学基金(No：6......
InAs／GaAs量子点的生长形貌和特性受不同生长环境和生长条件影响。本文借助光致发光光谱（PL）特性表征方法，通过实验生长，对比研究不同生......
InGaAs HEMT器件和纳米加工技术的结合推动了InGaAs纳电子学的发展,在太赫兹和后CMOS逻辑电路两大领域产生重要影响。综述了InGaAs......
在Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物中,具有最高的电子迁移率和电子饱和漂移速度的窄带隙材料InAs、InSb和InAsSb可以与宽带隙材料AlSb、GaSb以......
研究了In液滴法生长InAs量子点时不同衬底温度,以及是否引入退火的量子点生长情况并建立了物理模型。发现In原子沉积在衬底表面会......
半导体纳米线以其独特的结构特征和新颖的物理特性成为当前半导体光电子领域的研究热点。InAs纳米线具有较窄的直接带隙和极高的电......
由于量子点拥有独特的δ态密度函数和三维强量子限制效应,以量子点为有源区的光电器件具有优于传统器件的性能。就半导体光放大器（S......
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