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由于在微波器件中的潜在应用，自旋转移矩纳米振荡器吸引了人们密切的关注[1-3]。提高器件的工作频宽和发射功率一直是研究的重点，除器件结构外，材料的吉伯阻尼因子也是影响器件性能的重要因素。
界面对铁磁性超薄膜磁性能的影响
【摘 要】
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由于在微波器件中的潜在应用，自旋转移矩纳米振荡器吸引了人们密切的关注[1-3]。提高器件的工作频宽和发射功率一直是研究的重点，除器件结构外，材料的吉伯阻尼因子也是影响器件性能的重要因素。
【机 构】
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江苏省南京市东南大学物理系,211189;山东省聊城市聊城大学物理科学与信息工程学院,252059
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
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2013年11期
其他文献
石墨烯具有弱的自旋-轨道耦合及很长的自旋弛豫长度，有利于人工调控其自旋及磁性，并被磁学界预言了其在自旋电子学器件中的巨大潜在应用。理论上，轻质元素掺杂石墨烯能导致部分C-C 键的原子轨道从sp2 杂化变成sp3 杂化，从而打破碳原子的去局域网络而引入局域磁矩。
在外加电压或电流的作用下，体系的电阻值在多个阻态之间发生变化的现象称为电致电阻效应。电致电阻效应存在于多种体系结构的材料中，例如钙钛矿结构氧化物，二元过氧化物，硫属化合物，氮化物，碳基材料，非晶硅，有机半导体等。但是电致电阻效应准确的物理机制尚未得到统一的认可，目前主要的理论机制有导电细丝模型，界面肖特基模型，陷阱俘获释放电荷模型等。在这些理论模型中，氧空位缺陷的被认为起了很关键的作用。
由于金属和半导体间存在较大的电导失配，室温下电子从磁性金属到半导体的自旋注入效率非常低。最近，在磁性金属/半导体薄膜中发现了较大的室温磁电阻效应[1-3]，这引起人们越来越多的关注。
新近实验表明，电流流过垂直磁化的Pt/Co/AlOx 薄膜纳米线时，除存在着众所周知的自旋转矩(STT)效应外[1]；由于薄膜的结构反演非对称性，进而还可以导致一个作用幅度不容忽视的Rashba效应[2]。
Due to their long term disordered microstructure,amorphous alloys exhibit much better mechanical properties,magnetic properties,anti-corrosion properties and so on,compared with their traditional crys