电致电阻效应相关论文
磁性半金属材料是具有独特能带结构的自旋电子材料,拥有丰富的物理特性和广泛的应用前景。本文从实验上制备了磁性半金属/单晶硅复......
进入二十一世纪全球化的信息时代以来,在计算机技术、互联网技术以及新型大众消费类电子产品高速发展的带动之下,现代社会对信息存......
在外加电压或电流的作用下，体系的电阻值在多个阻态之间发生变化的现象称为电致电阻效应。电致电阻效应存在于多种体系结构的材料中......
基于电致电阻效应的电阻式随机存储器(RRAM)是新一代存储器的主要候选者,已引起了广泛关注.在众多的阻变材料中,铁酸铋(BiFeO3)作......
一维纳米核壳结构是对原始纳米材料的剪裁和改造进而得到的双层或者多层特殊结构,具有许多特有的光、电、催化性能,因而在半导体器......
学位
基于掺杂稀土锰氧化物在磁存储和磁传感方面的广泛应用前景,在前人大量研究庞磁电阻(colossal magnetoresistance,CMR)效应的基础......
近年来，随着科学技术的快速发展，人们对信息存储技术的要求越来越高。寻找到一种具有高存储密度、高读写速度、非易失性和低能耗的新......
本文首先综述了钙钛矿材料自身和界面上比较前沿的研究进展，表明钙钛矿材料有广阔的研究空间。然后引入漂移扩散模型在铁电材料表面......
本论文系统地研究了强电流/电场处理对钙钛矿型锰氧化物薄膜电、磁输运性质的影响以及基于锰氧化物薄膜的p-n异质结的电、磁输运性......
低维金属氧化物薄膜是凝聚态物理研究的热点之一,具有很多新奇的物理现象和电、磁特性,例如巨电阻效应(CER),电致发光(EL)和交换偏......
复杂金属氧化物具有丰富的物理现象,其内在各种关联使得它们具有多样性和可控性。这类材料的性质和功能可以通过结构修饰、空间限......
我们利用磁控溅射手段制备了多种金属/氧化物/金属三明治结构,研究了氧化物和电极之间界面结构对于电致电阻效应的影响。
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钙钛矿型锰氧化物材料因其电子、晶格、轨道、自旋之间的强关联相互作用，体系呈现出复杂多样的物理性质，如庞磁电阻效应和相分离现象......
本论文在漂移-扩散的模型基础上，讨论了氧化物薄膜电致电阻效应的理论机制。我们利用数值计算方法，研究了钙钛矿锰氧化物材料内部的......
近年来,铁电材料因为它们在电子设备上的广泛应用,尤其是由铁电隧道结制备的纳米尺寸的传感器和非易失性存储器因为拥有高的存储密......
用固相反应法制备系列Nd0.67Sr0.33MnOy(y=3.00-2.80)多晶样品.样品输运性质表现出自旋相关电致电阻特征.对氧含量等于化学计量样......
用固相反应和高能球磨合成后续热处理两种方法分别得到钙钛矿结构Nd0.7Sr0.3MnO3氧化物.两种不同方法得到的多晶样品,虽然晶体结构......
纳米铁电容器结构称为铁电隧道结，可以利用铁电垒极化方向的不同而导致器件阻态差异作为记录信息的物理载体，电极和势垒之间的界面是......
异质结的高低阻态可以分别代表逻辑＂0＂和＂1＂,从而实现二进制数据存储.采用磁控溅射法制备Au/BaTiO3/SrRuO3异质结.研究结果表明在不同......
铁电隧道结是一种具有量子隧穿效应和电致电阻效应的新型隧道结。从铁电隧道结的基本理论出发，针对势垒层和电极材料选取的角度详细......
钙钛矿结构锰氧化物的电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应是目前新型电子信息存储材料的研究热点,基于EPIR效应的电阻式随机非易失性存......
对SrTiO3材料体系的电致电阻效应及其机理进行了系统的介绍；并对目前公认的3种调制机理：氧空位电迁移模型、共振隧穿路径开闭模型、......
电阻型随机存储器(RRAM)是一类非常有前途的新型非易失性半导体存储器。基于过渡金属氧化物材料的RRAM器件具有“价格低,功率小,速......
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用固相烧结法制备Nd0.67Sr0.33MnOy（y=2.85）多晶样品。样品输运性质表现出自旋相关电致电阻特征。对含量低于化学计量y=3.0样品，当温......
近二十年来,集成铁电存储器倍受关注。早期广泛研究的存储材料是钙钛矿结构的Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜。然而PZT薄膜的疲劳问题严重,......
介绍了电致电阻效应材料和磁致电阻效应材料等可变阻抗功能材料的最新研究进展,分析了其用于高功率电磁脉冲防护的工作原理,指出变......
稀磁半导体由于可以同时利用电子的自旋和电荷这两个自由度而引起了研究者的广泛关注。目前研究热点主要是寻找具有室温铁磁性的稀......
铁电存储器具有非挥发性、低功耗、高读写速率、高存储密度、优异的抗辐射等优点，在电子信息和国防等领域具有非常广阔的应用前景。......
