真空微电子器件的前沿研究

来源 :中国真空学会电子材料与器件第十届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bold_gm
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
其他文献
会议
用于评估微电子器件金属化寿命的在数电流密度因子(n)的测量一直是个难题。为精确测量电流密度因子,他们采用与传统MTF法完全不同的电流斜坡动态测试法(DCR),精确控制金属条温度消除焦耳热
会议
会议
电迁徙参数电流密度因子(n)是预测微电子器件金属化寿命的重要参数,它的测量一直是个难题。该文提出了一种与传统MTE法完全不同的电流斜坡动态测试法(DCR),精确控制金属条温度消除焦耳热影