激光掺杂制备太阳电池发射极的研究

来源 :第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) | 被引量 : 0次 | 上传用户：jovkin

【摘要】

：

本文采用波长为532 nm 的激光脉冲在n 型单晶硅衬底上扫描预置的硼源,进行制备太阳电池发射极研究,利用全激光掺杂实现了方块电阻最低为35 Ω/□的发射极,经过退火后少子寿命大幅度提升.在此基础上,初步制备的太阳电池开路电压Voc 达到543 mV,研究表明,激光掺杂是一种有效的制备太阳电池发射极的方法.但由于短路电流密度Jsc,填充因子FF 太低,转换效率较低.

【作者】

：

陈树拳梁宗存叶小帅王学孟王学孟

【机构】

：

中山大学太阳能系统研究所,广东省光伏技术重点实验室,光电材料与技术国家重点实验室,广州 510006

【出处】

：

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)

【发表日期】

：

2012年3期

【关键词】

：

激光硼掺杂太阳电池

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