VHF-PECVD相关论文
Synthesis and field emission properties of vertically aligned graphene layers grown in CH4+H2 plasma
Vertically aligned graphene has good physical and chemical properties and is considered as a kind of field emission mate......
Triple-Junction Solar Cells with Microcrystalline Silicon Bottom Cell on Large-Area Glass Substrates
We report on an a-Si∶H/a-SiGe∶H/μc-Si∶H triple-junction p-i-n solar cells deposited on large-area glass substrates.M......
本文利用VHF-PECVD方法沉积了一系列不同晶化率的微晶硅薄膜太阳电池,并分别在白光和红光两种光源下进行了老化实验.通过对比白光......
本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备了系列不同沉积条件的微晶硅薄膜。X-Ray衍射测试结果表明材料的择优取......
本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究了衬底表面绒度和电学特性的变化对微晶硅太阳电池性能的影响.通过......
本文报道了非晶硅/微晶硅叠层电池中试生产线和年产2 兆瓦非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层电池生 产线的研发过程.采用甚高频等离......
与氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜材料具有不可避免的光致衰退效应相比，硅锗薄膜作为窄带隙材料，能够提高太阳光的吸收效率，从而提升薄膜太阳......
采用VHF PECVD技术在多功能系统(clustertool)中制备了系列硅薄膜,研究薄膜的均匀性及电学特性和结构特性。结果表明:气压和功率的......
采用VHF-PECVD技术高速沉积了不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果......
分别以Si2H6和GeH4及SiH4和GeH4两种组合气体为源气体,用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备μc-SiGe薄膜,用Raman散射......
采用高压高功率(hphP)甚高频等离子体强强化学气相沉积(VHF-PECVD)法对微晶硅(μc-Si:H)进行高速沉积,在最优沉积条件参数下对hphP......
Several series of Si:H films were fabricated by the very high frequency plasma enhanced chemical vapour deposition (VHF-......
This paper reports that the optical emission spectroscopy (OES) is used to monitor the plasma during the deposition proc......
In this paper intrinsic microcrystalline silicon films have been prepared by very high frequency plasma enhanced chemica......
微晶硅薄膜太阳能电池没有非晶硅电池的S-W效应.与非晶硅电池构成叠成,不但可以拓展电池的光谱响应范围,还可以提高电池的稳定性.......
通过激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜,并对不同沉积功率、不同沉积压强条件下沉积制备的样品的激活能进行了......
利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜。研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较......
采用VHF-PECVD技术沉积微晶硅薄膜,获得较高的生长速度,但是薄膜质量较差,这与初始生长过程中生成厚的非晶孵化层关系密切。本研究......
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究衬底表面形貌和电学特性的变化对微晶硅单结太阳电池性能的影响.通过对......
对RF-PECVD技术沉积p-nc-Si:H薄膜材料进行了研究.随着功率的增大材料的晶化率增大.B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料......
采用VHF-PECVD技术沉积硼掺杂的P型微晶硅薄膜材料,在硅烷浓度(SC)为0.8%,反应气压93Pa时,随等离子体功率的增加,材料的晶化率和电......
STRUCTURAL PROPERTIES INVESTIGATION ON MICROCRYSTALLINE SILICON FILMS DEPOSITED WITH VHF-PECVD TECHN
Raman scattering spectroscopy and scanning electron microscopy (SEM) techniques were used to determine the structural pr......
在掺杂P室采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,制备了不同硅烷浓度条件下的本征微晶硅薄膜.对薄膜电学特性和结构......
用光发射谱(OES)和喇曼散射谱(Raman)研究了VHF-PECVD制备硅薄膜的结构特性.OES测试结果表明:随功率增加,对应各基团峰的强度增大;......
较为系统的研究了甚高频化学气相沉积在高压高功率下生长的微晶硅薄膜．给出了功率密度-气体流量和压强-功率密度的二维相图．用朗缪尔......
随着人类对能源需求的日益增加,太阳能作为一种可再生能源,越来越受到业界的广泛关注。其中硅基薄膜太阳能电池由于其材料成本低,......
系统研究了射频和甚高频下沉积微晶硅薄膜时沉积参数对薄膜质量的影响，并优化了沉积参数．在相同的沉积条件下，甚高频沉积速度明显大于......
利用激活能测试装置测量了VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜的激活能，结果表明，在不同沉积条件下制备的本征微晶硅薄膜的晶化处于......
拉曼系列和扫描电子显微镜(SEM ) 技术被用来决定微晶质的硅的结构的性质(c-Si : H ) 与高频率在不同底层上扔的电影提高血浆的化......
以SiH4和GeF4为反应气体，采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）方法制备了P型微晶硅锗（P-μc-Sil-xGex）薄膜。研究GeF4浓度对......
采用VHF－PECVD方法，以高氢稀释的硅烷为反应气体，低温条件下成功地制备了系列μc-Si:H薄膜，对薄膜的厚度测量表明：增大激发频率和反应气......
利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积微晶硅材料．随硅烷浓度的降低，材料晶化率增加，材料的光学带隙在1．5～1．65eV之间，材料的电导......
在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积（VHF-PECVD）法制备了一系列微晶硅（μc-Si：H）薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较......
在掺杂P室采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF—PECVD）技术，制备了不同硅烷浓度条件下的本征微晶硅薄膜．对薄膜电学特性和结构特......
STRUCTURAL PROPERTIES INVESTIGATION ON MICROCRYSTALLINE SILICON FILMS DEPOSITED WITH VHF-PECVD TECHN
Raman scattering spectroscopy and scanning electron microscopy (SEM) techniques were used to determine the structural pr......
本文综述了太阳电池的研究现状和发展趋势，对各种制备方法以及各类薄膜太阳电池分析了各自的优缺点。最后对太阳电池的未来应用进行......
采用VHF-PECVD技术制备了不同结构的Si薄膜,用喇曼(Raman)散射光谱和光热偏转谱(PDS)分别对材料的结构进行了研究.结果表明:Si薄膜......
在这份报纸，一系列硼做了微晶质的 hydrogenated 硅金者(p-渭 c -Si1?xGex:H) 被很高的频率扔从 SiH4 和 GeF4 混合物的提高血浆的......
采用甚高频等离子体辅助化学气相沉积技术（VHF-PECVD）分别对薄膜沉积参数进行了功率密度-沉积气压和硅烷浓度-气体总流量两因素优化......
A series of samples deposited by VHF-PECVD at different pressures were studied. The measurement results of photosensitiv......
修正双尺度模型在非高斯海面散射中的应用;基于JTC的光学加密系统密钥设计新方法;二阶∑△A／D转换器抽取滤波器VLSI设计和实现;新型......
通过激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜的激活能,结果表明:在不同沉积条件下制备的本征微晶硅薄膜,晶化处于非......
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法,在保持其它参量不变的条件下,通过改变SiH4浓度(SC)成功地制备了一系列Si基......
本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品.结果表明:沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大;光敏性(光电......
本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究.结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地......
采用激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜，并对不同晶化率的样品和不同沉积功率、不同沉积压强条件下沉积制备的......
