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由于共振隧穿二极管(RTD)在超高频方面的优异性能,近年来得到了广泛的重视.本文通过对InGaAs/A1As材料的不同尺寸共振隧穿二极管(RTD)的研究,发现对于不同峰谷比和峰值电流密度,通过调整器件尺寸,可以得到符合性能要求的RTD.
器件尺寸对RTD性能的影响
【摘 要】
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由于共振隧穿二极管(RTD)在超高频方面的优异性能,近年来得到了广泛的重视.本文通过对InGaAs/A1As材料的不同尺寸共振隧穿二极管(RTD)的研究,发现对于不同峰谷比和峰值电流密
【机 构】
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中国科学院半导体所新材料部,北京912信箱,100083
【出 处】
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中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会
【发表日期】
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2002年期
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