【摘 要】
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高铝组分AlxGa1-xN/GaN (x＞O.3)多量子阱结构由于在紫外LED、3-5lμm大气窗口波段的光电探测和1.3μm及1.55U m的光通信波段器件上具有巨大的应用前景，目前正成为国际上的
【机 构】
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北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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高铝组分AlxGa1-xN/GaN (x＞O.3)多量子阱结构由于在紫外LED、3-5lμm大气窗口波段的光电探测和1.3μm及1.55U m的光通信波段器件上具有巨大的应用前景，目前正成为国际上的研究热点。然而高Al组分AlGaN/GaN多量子阱结构生长困难，主要在于其和GaN模板之间存在巨大的晶格失配和热失配，导致多量子阱结构开裂，同时应力导致量子阱界面退化和组分不均匀。本文提出两种应力调控的插入层方法，很好地实现了应力释放，生长出无裂纹的AlGaN/GaN多量子阱结构，并研究了两种应力调控插入层的应力释放方式和生长动力学过程。
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