【摘 要】
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本文利用碱性抛光液对蓝宝石衬底材料进行了化学机械抛光,并对蓝宝石衬底化学机械抛光(简称CMP)的机理及其理论模型进行了深入的研究,完善了蓝宝石CMP抛光速率的半经验公式.根据实验数据,就温度、压力及pH值对CMP抛光速率的影响进行了详细的讨论,得出了这些参数对蓝宝石衬底CMP过程及加工表面质量的影响趋势.
【机 构】
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河北工业大学信息学院微电子学与固体电子学重点学科,天津,300130
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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本文利用碱性抛光液对蓝宝石衬底材料进行了化学机械抛光,并对蓝宝石衬底化学机械抛光(简称CMP)的机理及其理论模型进行了深入的研究,完善了蓝宝石CMP抛光速率的半经验公式.根据实验数据,就温度、压力及pH值对CMP抛光速率的影响进行了详细的讨论,得出了这些参数对蓝宝石衬底CMP过程及加工表面质量的影响趋势.
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