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隐蔽型发射极穿孔(EWT)硅太阳电池以其独特的器件结构、较低的成本及较高的电池效率而备受光伏市场的关注。实现EWT硅太阳电池的关键技术是背面pn区域的界定。本文概述了激光刻槽法、丝网印刷法、二次扩散法及化学镀敷法等目前国际上研究较多的几种实现背面pn区域界定的方法，对其实现原理、制造技术及发展概况做了系统介绍和比较，并在此基础上提出了需要改进的问题及未来的发展方向。