论文部分内容阅读
本文主要探讨了AlGaInP LED和GaN LED的研究发展情况，就目前LED外部量子效率低的现状，介绍了改善电效率和提高芯片出光效率的几种方法，如芯片塑形、表面粗化、全方位反射镜(ODR)、键合剥离技术、倒装技术(Filp chip)、光子晶体技术、AC LED技术等，最后谈论了LED芯片技术发展的趋势。