论文部分内容阅读
在不同温度条件下离子注入ＩｎＧａＡｓＰ化合物半导体形成高阻层的研究
【机 构】
：
天津师范大学
【出 处】
：
’94秋季中国材料研讨会
【发表日期】
：
2004年期
其他文献
ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技术发展迅速，被认为是２１世纪最重要的硅集成电路技术。ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路具有高速度、低功耗、抗辐照等一系列优点。作者用氧、氮离子注入硅中，得到性能良好的ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）和ＳＩＭＮＩ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｎｉｔｒｏｇｅｎ）薄膜材料。研
该文介绍了离子注入技术及其在航空液压泵上的成功应用，及该项技术在提高液压泵摩擦副一配流副的可靠性寿命方面的显著作用，初步探索了如何把科研成果转化为主产力，把高新技术转
用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法制备了Ｃ〈，６０〉薄膜，Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测试表明薄膜呈多晶结构，其室温电阻率在１０〈’３〉Ωｃｍ以上，具有负的电阻温度系数。用８０ｋｅＶ的Ｐ〈’＋〉、ＢＢｒ〈’＋〉〈，３〉、Ａｒ〈’＋〉和Ｈｅ〈’＋〉对Ｃ〈，６０〉膜进行