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SOI(silicon-on-insulator)被国际上公认为是“二十一世纪的硅集成电路技术”,本文综述了SOI技术新进展.SIMOX和Smart-cut SOI技术......
SOI(Silicon on Insulator)技术发展迅速,被认为是21世纪最重要的硅集成电路技术。SOI-CMOS电路具有高速度、低功耗、抗辐照等一系列优点。作者用氧、氮离子注入硅中......
SOI(Silicom on Insulator)技术是21世纪的硅集成电路技术。离子注入SIMOX(Separation by Implanted Oxyen)材料是最重要的SOI材料。报道了氧注入单晶硅,经过高温长时间退火后,形成质量很好的SIMOX薄......
SOI(Silicon-on-insulator)被国际上公认为是“21世纪的硅集成电路技术”.SOI是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的、有......