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当电子或其他微观粒子从势垒的一边入射时，即使它们不具有足够的动能从势垒顶部翻越过势垒，它们仍然能够从势垒入射的一边消失而在势垒的另一边出现。这种现象形象的称之为微观粒子隧道贯穿势垒或隧穿势垒。这是迄今被人们广泛分析和研究的电子运动过程之一。本文用分析转移矩阵方法来精确决定粒子隧穿任意形状势垒的透射系数。分析转移矩阵方法不像一般的转移矩阵方法那样把矩阵直接相乘，而是给出基于转移矩阵方法的解析的精确的透射率公式，而且有效质量的变化直接包含进解析公式，这样可以探索任意半导体材料制成的结构的隧穿性质。分析转移矩阵方法实施起来比较容易，并且能给出足够精确的结果，这在许多实际的应用中非常有效。