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本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备了系列不同沉积条件的微晶硅薄膜。X-Ray衍射测试结果表明材料的择优取向随着功率的增大发生了规律性的变化，体现出了（220）方向择优，而且X-Ray 衍射测试模式不同所揭示材料的结构信息也不一样。对比Raman 测试所得到的晶化率和XRD 测试得到材料的I220/I111 比值随沉积参数的规律性变化，可得出如下结论：I220/I111 比值也可用来定性的描述样品的晶化程度。