【摘 要】
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本文研究了基于多孔硅层转移技术的a-Si/c-Si 异质结太阳电池.先后利用LPCVD和HWCVD 在已退火的双层多孔硅上生长晶硅薄膜和非晶硅层.采用SEM、Raman、XRD微波光电导衰减测试、I-V 特性测试和量子效率测试仪分别对双层多孔硅、外延硅薄膜及异质结电池进行了分析.结果表明：双层多孔硅经退火后,小孔层发生了闭合,大孔层孔径增大；1100℃、100Pa 下外延生长的硅薄膜的质量最好,且
【机 构】
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南京航空航天大学材料科学与技术学院 南京 210016 南京航空航天大学材料科学与技术学院 南京
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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本文研究了基于多孔硅层转移技术的a-Si/c-Si 异质结太阳电池.先后利用LPCVD和HWCVD 在已退火的双层多孔硅上生长晶硅薄膜和非晶硅层.采用SEM、Raman、XRD微波光电导衰减测试、I-V 特性测试和量子效率测试仪分别对双层多孔硅、外延硅薄膜及异质结电池进行了分析.结果表明：双层多孔硅经退火后,小孔层发生了闭合,大孔层孔径增大；1100℃、100Pa 下外延生长的硅薄膜的质量最好,且利用该硅薄膜作为吸收层所制备的无任何陷光结构的异质结太阳电池的转换效率为10.1％.
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本文采用常规的工艺在40mm×40mm 的P 型单晶硅衬底上制备了太阳电池.由于我们的烧结炉的不稳定性而导致得到的填充因子参差不齐.这些电池的填充因子大致可以分为两组,他们分别对应于高填充因子和低填充因子.在光诱导镀之后,两组电池的填充因子达到了几乎一样的水平.测试结果表明高低填充因子与高低串联电阻一一对应,在光诱导镀之后两组电池的串联电阻都达到了很低的水平.利用扫描电镜(SEM)观测了电极下的微
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本文提出了一种利用硼盐酸进行扩散的方法,将旋涂硼盐酸的硅片作为扩散源,在N2 气氛保护下,1020 ℃扩散12 min 所得到的发射极的方块电阻平均值为65 Ω/□,偏差≤4.2 Ω/□,得到的电池的开路电压高于固态硼扩散的开路电压,这种方法与固态硼扩散和液态硼扩散相比还具有扩散温度低、时间短、工艺简单和环境友好等优点,在太阳能电池生产中有巨大的应用潜力.
标准光伏电池标定值的准确性与稳定性直接影响着光伏器件的测量结果.针对光伏电池国际比对所使用的一级标准光伏电池,本文着重对电池的试样筛选、材料封装、电极引线、温度引线和保护窗口等进行了分析与讨论.通过不同制作环节的实验方法与要求,对一级晶体硅标准光伏电池的制作进行了定义；提出了一级标准光伏电池在封装前与封装后的不同试验流程,并对封装后的电参数测量、温度特性和光照稳定性等试验方法进行了详细阐述。
光生诱导电流测试(Laser Beam Induced Current 简称LBIC)适合于薄膜电池等各类电池的性能表征.本文通过理论建模和扫描电池的LBIC 图像和Laser Beam Induced Voltage(LBIV)图像,比较了LBIC 和LBIV 测试方法的区别,指出LBIV 测量值是一平衡电压值,而不是局域的开路电压.
本文采用改进溶胶凝胶法(sol-gel)制备增强氮化硅涂层(SG 涂层),并将其应用于准单晶硅铸锭及普通多晶硅铸锭.实验结果显示：1)采用溶胶凝胶法制备的氮化硅涂层,早期强度较常规喷涂法制备的涂层有显著的提高；2)氮化硅涂层中有机物的添加会降低硅熔体与涂层间的非浸润性,涂层中有机物在加热过程中的碳化可能是其主要原因.铸锭应用结果显示：完整的SG工艺制备的氮化硅涂层可以满足准单晶硅铸锭脱模需要,同时
本文采用两步法对类单晶硅太阳电池的表面进行制绒,利用扫描电子显微镜和分光光度计测试绒面的表面形貌和反射率.测试结果显示：常温下,经两步法腐蚀制绒后的硅片表面形貌是金字塔与凹坑相结合,在波长650nm 处,其表面反射率介于单、多晶硅片的反射率(10％—22％)间,但从电池制作的整体工艺和成本考虑,先酸后碱的制绒方案优于其它方案.
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