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本文讨论了MOSFET氧化层陷阱电荷和界面态电荷分离的几种方法,重点介绍了其中的中带电压法,并指出应用中带电压法进行电荷分离时中带电压的选取是其中的一个关键,利用中带电压法开发了分离氧化层陷阱电荷与界面态电荷的程序。试验结果表明：随着总剂量的增加,阈值电压下降,对应的氧化层陷阱电荷和界面态电荷增加,它们的变化规律与理论基本吻合。