【摘 要】
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相比腔外倍频，腔内倍频可以有效利用高的腔内基波功率密度，已被广泛研究和实际应用。实验发现：KTP晶体在腔内、腔外倍频时的温度调谐曲线差异巨大，腔内倍频时的曲线不再呈现
【机 构】
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江苏师范大学物理与电子工程学院,徐州221116
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相比腔外倍频，腔内倍频可以有效利用高的腔内基波功率密度，已被广泛研究和实际应用。实验发现：KTP晶体在腔内、腔外倍频时的温度调谐曲线差异巨大，腔内倍频时的曲线不再呈现典型的sine2函数线型，且其温度不敏感性优于腔外倍频的。通过将修正的倍频方程引入基波速率方程组而理论得到的温度调谐曲线可较好的吻合实验结果。进一步分析发现：腔内倍频结构下，晶体温度改变时腔内基波功率密度与脉冲宽度都将随之发生相应变化，正是由于基波功率密度与脉冲宽度的自调节作用导致了晶体温度特性的改善。本文将从理论上研究非线性光学晶体相关参数对腔内倍频温度特性的影响，为腔内倍频及其他非线性光学频率转换提供新的认识。
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