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通过化学共沉淀工艺制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ〈，３〉半导体陶瓷，首次获得了与ＢａＴｉＯ〈，３〉陶瓷相类似的典型ＰＴＣ特怀，样品耐压强度大（３３０Ｖａｃ／ｍｍ），响应速度快（４０ｍｓ），室温电阻率低于１０〈’２〉Ω·ｃｍ，升阻比高达１０〈’６．３３〉，烧结温度可以长低至１１００℃以下。
新型PTCR陶瓷-钛酸锶铅
【摘 要】
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通过化学共沉淀工艺制备（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ〈，３〉半导体陶瓷，首次获得了与ＢａＴｉＯ〈，３〉陶瓷相类似的典型ＰＴＣ特怀，样品耐压强度大（３３０Ｖａｃ／ｍｍ），响应速度快（４０ｍｓ），室温电阻率低于１０〈’２〉Ω·ｃｍ，升阻比高达１０〈’６．３３〉，烧结温度可以长低至１１００℃以下
【机 构】
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大学材料科学与工程系(北京)
【出 处】
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第九届全国特种陶瓷学术年会
【发表日期】
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1996年期
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