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采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性.条宽为100μm、腔长为1.6mm,腔面未经镀膜的量子点激光二极管,室温下最大光功率输出为2.74W.
应变自组装InAs/GaAs量子点材料与器件光学性质研究
【摘 要】
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采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性.条宽为100μm、腔长
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京)
【出 处】
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第二届全国纳米技术与应用学术会议
【发表日期】
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2002年期
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