【摘 要】
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研究了不同测试电流下功率MOSFET寄生二极管正向压降-温度(VF-T)特性曲线之间的关系,结果发现不同测试电流下的二极管VF-T特性曲线在绝对零度时交于一点,且该点为材料在绝对
【机 构】
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北京卅普科技有限公司,北京 102201
【出 处】
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中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会
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研究了不同测试电流下功率MOSFET寄生二极管正向压降-温度(VF-T)特性曲线之间的关系,结果发现不同测试电流下的二极管VF-T特性曲线在绝对零度时交于一点,且该点为材料在绝对零度时的禁带宽度所对应的压降值;给出了器件结壳稳态热阻随加热电流以及加热电压变化的主要原因.此外,还研究了器件最大耗散功率随壳温的变化,并确定热安全工作区,对器件的散热设计和实际应用具有重要意义.
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