反向恢复时间相关论文
近些年来,电子电力技术发展推动了变频电路、汽车电子、开关电源的应用市场不断扩大。而在这些应用中,功率二极管作为最常用的基础......
以氮化镓（GaN）为代表的第三代宽带隙半导体材料正在逐渐兴起。与传统的半导体材料相比,GaN具有良好的化学稳定性,高击穿电压,低导通......
电力电子器件,又称为功率半导体器件,是主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件,广泛应用于各种家用电器、工......
本文简要地介绍了超快速二极的性能管对电力电子电路的影响和现代功率变换对超快速二极管反向恢复特性的要求,超快速二极管的反向......
本文简要地介绍了超快速二极的性能管对电力电子电路的影响和现代功率变换对超快速二极管反向恢复特性的要求,超快速二极管的反向......
反向恢复时间Trr是衡量二极管等器件反向恢复特性最重要的参数.针对当前Trr测试仪无法同时满足不同的测试要求,且Trr测量下限大多......
介绍了一种新型结构的整流二极管，即多晶硅／硅结构的二极管。从理论分析和实验结果表明，这种器件的反向恢复时间很短。
A new type o......
本文研究了预退火对二极管反向恢复时间的影响．为获得满意的反向恢复时间，硅棒上不同部位的硅片需要不同的预退火温度．头、中、尾部的......
快恢复二极管(FRD)、超快恢复二极管(SRD)和肖特基二极管(SBD)是极有发展前途的电力、电子半导体器件。它们具有开关特性好、反向......
表n部分兀型发光二极管主要技术参数型号封装形式外形尺寸(mm)极限参数光电参数耗散功率 Pm(mw)正向电流 IF(n认)光强 Iv(mCd)峰值......
提出了用于高频电力线路中的一种大功率软恢复二极管新结构。该二极管阳极由低注入效率的ｐ区及高注入效率的ｐ＋区组成。大电流下ｐ＋区的高......
使用硼铝二氧化硅乳胶源研制出反向快恢复整流二极管，其反向恢复时间ｔｒｒ≤５μｓ，反向耐压＞１０００Ｖ。介绍了该器件的结构特点及扩散工艺。
The use ......
飞兆半导体公司推出四款30V、N沟道Power Trench~R MOSFET—FDD044AN03L、FDU044AN03L、FDD068AN03L和FDU068AN03L,它们采用小尺......
安森美半导体推出了业内首个250 V肖特基整流器,应用于等离子体/LCD电视、电源、消费类和汽车电子,把原有的肖特基势垒电压超越200......
提出一种寿命控制新技术——氢离子辐照缺陷汲取铂局域寿命控制技术.所有样管首先进行能量为550keV,剂量为1×1013~5×1014cm-2的......
SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中。实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,......
高耐压功率MOSFET F系列产品为使t_(rr)(内部二极管反向恢复时间)达到高速化,成功地在超结MOSFET的元件内部形成局部的陷阱能级,从......
国际整流器公司推出一系列25V及30V器件,采用了IR最新的HEXFETMOSFET硅器件和新款高性能PQFN3×3封装,为电信、网络通信和高端台式......
快恢复、超快恢复二极管是近年来的新型半导体器件,具有开关特性好。反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快......
一、二极管的识别与检测1.常规二极管应用在液晶显示器中的常规二极管主要有:整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管、稳压二极......
1.片状整流二极管整流一般指的是将工频(50Hz)的交流变成脉动直流,常用的是1N4001～4007系列1A、50～1000V整流二极管(圆柱形玻封或塑......
全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件,它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和......
目前,应用广泛的贴片二极管有整流贴片二极管、快速恢复贴片二极管、开关贴片二极管、变容贴片二极管、稳压贴片二极管、肖特基贴......
利用脉冲恢复技术测量了有限宽基区n+-on-p光电二极管中的少子寿命.实验发现,反向恢复时间同正、反向电流的大小有关.从恢复时间ts......
在考虑到各种物理机制如载流子-载流子散射、俄歇复合、禁带窄化效应及结温效应等的基础上,数值模拟分析了SiGe/Si功率开关二极管......
基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-Si C肖特基二极管(SBD),所用4H-Si C外......
提出一种驱动扫雷声源的大功率、宽频带开关功放。介绍其电路结构、工作原理、安全运行及宽带匹配技术,最后给出结论。
A high-po......
本文对逆变式弧焊电源中感性参数的影响进行了分析和仿真，研究表明：漏感、原过回路电感严重地恶化了逆变式弧焊电源的工作状况，而输出......
在对全桥逆变式弧焊电源全面研究的基础上，推导出其输出功率的数学表达式。研究表明，输入整流滤波电路的型式和功率脉冲变压器磁芯尺......
介绍了采用绝缘门极双极性晶体管（ＩＯＢＴ）作开关元件的逆变式点焊机的工作原理及特点。研究表明：ＩＧＢＴ逆变式点焊机结构及电路简单，可靠性高，功率因......
通过对单端正激逆变式弧焊电源的研究，提出其输出功率的数学表达式。研究表明，输入电路的型式和脉冲变压器的磁芯尺寸影响和限制逆变......
以半桥式ＩＧＢＴ逆变焊机为例，探讨了焊机主回路中的电感量对电路的工作状态的影响．通过在主回路中串联三种不同的电感的研究得出，焊机主回路......
针对弧焊逆变器用ＩＧＢＴ常见的几种失效形式进行了理论分析，并提出了相应的解决措施。
Aiming at the common failure modes of arc-weld......
提要控制降低高频硅功率整流器和半导体开关元件内少数载流子寿命,已经成为可能。关于用0.8～12兆电子伏能量的电子和Co~(60)γ射线,......
上海玩具十五厂主要生产高速ECL电路。在改用上海合金厂提供的区熔P型单晶作衬底之后,发现隔离击穿和二极管特性均比一般直拉单晶......
虽然高能(能量从0.5MeV到12MeV)电子束辐照对晶体二极管反向恢复时间的影响已有研究,但低能(能量在20KeV以下)电子束辐照对晶体管......
半导体整流器件,常常需要在尽可能短的时间内从低阻态转变到高阻状态,其转换时间直接地依赖于少子寿命。在器件的PN结或空间电荷区......
在现代科学技术中,许多地方都要求测量极短的时间间隔。比如,在用雷达或激光测距时,测距的精确度主要取决于对时间测量的精度。已......
本文介绍了一种“快速”峰值检测器,它不同于一般峰值检测电路,对变化缓慢的直流信号峰值,直至具有任何波形、任何上升与持续时间......
高压硅堆又称硅高压二极管,是电视机一体化行输出变压器的关键器件,它在很大程度上决定着电视机的平均无故障工作时间(MTBF).七十......
用电子辐照改善硅功率器件的性能是一项极有前途的新技术。其所依据的基本原理是:电子射线可使硅晶体中产生一些缺陷,这些缺陷构成......
