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本研究中用电子束反应蒸发的方法制备ITO 薄膜，测试了膜的可见光透过率、电阻率，讨论氧分压对薄膜光电性能及结构的影响。并在衬底温度为160℃，氧分压为5×10-2Pa的条件下，制得可见光范围平均透过率良好，电阻率为6.3×10-4O.cm的ITO 透明导电薄膜。
氧分压对电子束蒸发ITO薄膜光电性能的影响
【摘 要】
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本研究中用电子束反应蒸发的方法制备ITO 薄膜，测试了膜的可见光透过率、电阻率，讨论氧分压对薄膜光电性能及结构的影响。并在衬底温度为160℃，氧分压为5×10-2Pa的条件下，制得可
【机 构】
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河北工业大学材料科学与工程学院，天津300130南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&天津市重点实验室:光电信息技术科学教育部重点实验室，南开大学，天津300071南开大学光电子薄膜器件与技术研究所&天
【出 处】
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第十届固体薄膜会议
【发表日期】
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2006年10期
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