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TiAl的反常强化行为和电子结构
TiAl的反常强化行为和电子结构
来源 :第七次全国热处理大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yk946524
【摘 要】
:
由计算的TiAl三种平面缺陷能在价电子结构层次分析了TiAl的反常屈服强化行为(AYB)。结果表明,TiAl的AYB不可能是单一K-W位错交滑移钉扎机制独立所为,而是三种主位错交互作用引起的;孪生交割钉扎机制也有
【作 者】
:
李文
【机 构】
:
大学机械学院
【出 处】
:
第七次全国热处理大会
【发表日期】
:
1999年期
【关键词】
:
TiAl
行为
钉扎机制
位错交互作用
价电子结构
综合作用
屈服强化
平面缺陷
层次分析
本质原因
键结构
温度
孪生
计算
滑移
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由计算的TiAl三种平面缺陷能在价电子结构层次分析了TiAl的反常屈服强化行为(AYB)。结果表明,TiAl的AYB不可能是单一K-W位错交滑移钉扎机制独立所为,而是三种主位错交互作用引起的;孪生交割钉扎机制也有很大作用,其本质原因是温度直接影响键结构导致的强化与弱化综合作用的结果。
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