TiAl的反常强化行为和电子结构

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由计算的TiAl三种平面缺陷能在价电子结构层次分析了TiAl的反常屈服强化行为(AYB)。结果表明,TiAl的AYB不可能是单一K-W位错交滑移钉扎机制独立所为,而是三种主位错交互作用引起的;孪生交割钉扎机制也有很大作用,其本质原因是温度直接影响键结构导致的强化与弱化综合作用的结果。
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