论文部分内容阅读
GaN作为一种重要的Ⅲ-V族宽禁带化合物半导体材料，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，具有优良稳定的物理及化学性质，已成为研究和应用的热点。本文采用XRD和AFM对GaN表面缺陷进行了研究。
GaN表面缺陷的原子力显微镜表征
【摘 要】
：
GaN作为一种重要的Ⅲ-V族宽禁带化合物半导体材料，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，具有优良稳定的物理及化学性质
【机 构】
：
电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054
【出 处】
：
第十七届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
：
2009年8期
其他文献
笔者用自行设计加工的ZnO生长专用MOCVD系统，在Si、GaAs、Al2O3衬底上生长ZnO材料异质结，并实现了电注入发光。这些电注入发光均包含ZnO材料侧的可见和紫外发光和Si、GaAs材料
垂直腔面发射激光器(VCSEL)广泛应用于光通信、光互联、激光打印、环境检测、原子钟、激光鼠标等领域。然而这些应用要求vCSEL单模工作。目前，实现单模VCSEL方法有多种，如缩小
高功率半导体发光二极管在照明工程、显示中有着极其重要的应用价值，因而其在低频下的电学和光学特性具有较重要的研究价值。本文探讨了低频实验装置及测试原理。
集成可变光衰减器(VOAs)被广泛的应用于现代波分复用(WDM)光通讯网络之中。其主要作用就是用于动态地监视和控制光路的功率大小，为其他光信号处理器件提供合适稳定的功率输出
酞菁最初是由Braun和Tchemiac于1907发现。酞菁是一个大环化合物，环内有一个空穴，空穴的直径约为2.7x10-8cm，可以容纳多种金属和非金属元素。酞菁环本身是一个具有18个7π电子的
首先叙述了半导体激光器的工作原理，其次介绍了红外气体检测系统的功能及框图，以及在该系统中半导体激光器驱动电路要求和需要注意的若干问题，最后详细给出了针对各个问题的解决
硅基微纳波导高速电光开关是实现芯片光互连的关键性光子器件，PIN载流子注入型电光开关具有调制效率高、制备工艺相对简单的优点。本文报道在SOI材料上设计制备的微纳波导MZI
在宇宙空间存在由各种高能质子、高能电子、X射线、中子、γ射线等组成的宇宙射线。为提高电子器件在各种辐照环境下的生存能力和可靠性，确保电子设备在辐照环境下正常工作，必
笔者给出了一个基于光子晶体渐变波导的可调谐激光器。这种结构的光提取效率高达20%。从理论上预测了这种可调谐性，并在实验上获得了这种可调谐激光器，可调谐范围为57nm。通过
对制备成本低、转换效率高的薄膜太阳能电池来说，把多晶硅薄膜上生长在玻璃上是一种很好的途径。在非硅衬底上采用直接沉积法形成的晶粒尺寸一般都小于1微米，并且容易在晶粒间