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笔者用自行设计加工的ZnO生长专用MOCVD系统，在Si、GaAs、Al2O3衬底上生长ZnO材料异质结，并实现了电注入发光。这些电注入发光均包含ZnO材料侧的可见和紫外发光和Si、GaAs材料侧的近红外发光。由于ZnO是宽带隙材料，只有能量较高的电子-空穴对才能在ZnO侧复合发光，而Si、GaAs衬底材料是窄带隙材料，大部分电子-空穴对均在这侧复合发光。虽然Si是间接带隙材料，但是有声子参加，也可以得到较强的红外发光。所用在这些异质结结构的电注入发光中，Si、GaAs侧的发光强度比ZnO材料侧的可见和紫外发光强度大许多，而ZnO材料在0.4～2μm的波长范围内是透明的，可以制成光波导系统，提供将光源、探测器、调制器、滤波器及相关电路等进行单片集成，因此可以说，这些异质结电注入发光现象的发现为光电集成开辟了新的途径。