【摘 要】
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研究了RTCVD 设备参数如:温度、反应气体流量、沉积时间对多晶硅薄膜的性能的影响,通过扫描电镜(SEM)、X 射线(XRD)、霍尔测试及电池模拟软件PC1D 描述了薄膜性质随各参数的变化规
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研究了RTCVD 设备参数如:温度、反应气体流量、沉积时间对多晶硅薄膜的性能的影响,通过扫描电镜(SEM)、X 射线(XRD)、霍尔测试及电池模拟软件PC1D 描述了薄膜性质随各参数的变化规律性,提出改进薄膜性能的思路。
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