六方氮化硼(h-BN)是一种层状材料，结构与石墨相同，俗称“白石墨”。随着基于石墨烯的电子器件的迅速发展，六方氮化硼薄膜作为一种可以大大提高石墨烯电子器件性能的基底和介电层材料而越来越受到重视。而合成高质量、大面积、均匀的层数可控的六方氮化硼薄膜是它应用的前提。目前合成六方氮化硼薄膜方法主要是化学气相沉积法，但如何控制六方氮化硼的层数仍然是个难题。我们发展了一种共偏析的方法来生长原子层数的六方氮化硼薄膜。即通过用电子束蒸镀法使得含有硼、氮元素的薄膜埋入金属(铁，镍)体内，在真空退火的过程中，硼和氮原子扩散到金属表面，并以六方氮化硼的形式在金属表面析出。通过控制硼、氮量的多少和退火条件，我们可以获得亚单层、单层、少层和多层的六方氮化硼薄膜。这种共偏析方法在层数控制方面比化学气相沉积法更有优势。