电子迁移率相关论文
石墨烯的发现引起了研究人员对于范德华层状材料的研究兴趣。半导体过渡金属硫族化合物（TMDC）属于范德华层状材料,因其具有很多优异......
Ga2 O3是一种新兴的宽带隙半导体,在电力和射频电子系统中具有潜在的应用前景.前期研究以β-Ga2 O3为主,并且已经对β-(AlxGa1-x)2......
可溶液加工的n-型有机薄膜晶体管（OTFTs）的发展仍然面临挑战,而高迁移率n-型OTFTs对构筑高性能有机电路至关重要。器件工程是除材料......
有机薄膜晶体管（OTFTs）于1986年得到了首次报道,其在柔性电子产品领域表现出巨大的应用潜力,是传统无机薄膜晶体管的重要补充。与无......
采用飞秒激光在六氟化硫气氛中对硅表面进行扫描,在硅衬底上制备了具有超饱和重掺杂的黑硅薄膜.采用变温霍尔测试方法,在30-300 K......
石墨烯/硅异质结太阳电池的结构，石墨烯/硅异质结电池的性能提升，挑战和展望，石墨烯/硅异质结太阳电池的结构石墨烯(Graphene),即单层......
在化合物半导体电子器件中,高电子迁移率晶体管(HEMT)是应用于高频大功率场合最主要的器件形式。基于GaN及相关Ⅲ族氮化物材料(AlN......
钙钛矿材料由于具有大的吸光系数,高载流子寿命、高电荷迁移率以及极低的缺陷态密度,在廉价太阳能电池以及其它光电器件中展现出极......
基于显电中性的烷氧基官能团化的2-乙烯基噻吩嵌段(TVTOEt)与苯并二噻吩(BDT)或者二噻吩(T2)共聚得到的给体,NDI作为给体的P、n型......
SiC IGBT的沟道载流子迁移率会因为SiC/SiO2界面态及离子注入后退火形成P阱产生的界面粗糙而降低,为了改善这种影响,本文中设计了......
由于In2O3 NFs中具有较高的载流子浓度[1]，以In2O3 NFs为有源层的场效应晶体管(FET)存在关态电流较高(5×10-7A)、开关比较小(103)......
由于采用晶格匹配AlInN/AlN/GaN/AlN/GaN双沟道异质结结构设计，异质结同时具有了高电子迁移率和低面电阻的双重特性。笔者研究发现......
本文采用MBE生长技术,比较了在InP衬底上生长晶格匹配的LM-HEMT与在GaAs衬底上生长大失配的MM-HEMT的材料的性能.结果发现,二者的......
氮化镓(GaN)材料在光电子和微电子领域具有重要的应用潜力,而材料极性对氮化镓材料及器件都有着重要的影响.我们用NH作氮源,采用气......
利用改造的国产GSMBE系统和NH-MBE技术，在C面蓝宝石上外延出了高质量的GaN材料，其室温电子迁移率达300cm/Vs，相应的背景电子浓度为2x1......
本文深入分析了高电子迁移率InN的外延生长,采用边界温度外延的方法实现了高迁移率lnN薄膜,室温下电子迁移率超过3000 cm2/Vs,InN......
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二......
发光材料通过基质和掺杂离子的设计或者与智能材料的耦合，可以研制智能化和多功能化的发光材料和器件。其中上转换荧光、MRI和CT等......
高效的电子受体材料应当具有低能级、高迁移率等特点，非富勒烯受体材料还能表现出更好的吸收。低能级有利于激子的分离，高迁移率有利......
有机薄膜晶体管是组成柔软廉价的有机电子器件的基本元件，不仅在材料科学的基础研究中引起广泛的兴趣，而且具有潜在的市场价值。传输......
苝酰亚胺在聚合物受体材料方面是一类非常有潜力的结构单元，我们成功设计合成了两类苝酰亚胺受体聚合物，对比研究表明，通过单键旋转和......
在n 型有机场效应晶体管中，电子在绝缘层和半导体的界面上传输。绝缘层表面的羟基会在电子传输过程中捕获电子，从而抑制电子传输。研......
会议
由于AlGaN/GaN/AlGaN 多层异质结构较AlxGa1-xN/GaN 单异质结构具有更高的二维电子气(2DEG)浓度和迁移率[1,2],而且非对称AlxGa1-x......
PCBM是聚合物太阳能电池(PSC)中最有代表性的受体光伏材料，其优点是溶解度好、电子迁移率高，但其缺点是可见区吸收很弱以及其LUMO能......
ZnO作为一种廉价,安全的材料,相对于TiO2具有很更高的电子迁移率,因此在太阳能电池中被广泛的应用. 然而其禁带宽度较大(3.2eV),导......
有机电致发光器件(OLED)在照明和显示领域已经应用越来越广泛，国内的很多大型企业如京东方、天马、和辉光电等都投入了大量的资金进......
与传统半导体相比,宽禁带半导体具有更好的电子输运、电光和光电特性,其中,以ZnO和GaN为代表的Ⅱ-Ⅵ族和特殊Ⅲ-Ⅴ族三元混晶半导......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表，其具有宽直接带隙、低介电常数、耐腐蚀、耐辐射、耐高温、高电子迁移率、高热导率等优异......
本文在一类传统的有机电子传输材料--苝酰亚胺分子的不同位置上引入不同数目和不同种类的吸电子基团（F, Cl, CF3 ），合成了一系列苝酰......
Effect of substrate miscut on the electron mobility in InSb（001） structures on Ge and Ge-on-insulato
InSb epilayers 和 InSb/Al0.20In0.80Sb 量井被分子的横梁取向附生在 Ge (001 ) 底层和 Ge-on-insulator (GeOI )-on-Si(001) 底......
<正>This paper describes an analytical model for bulk electron mobility in strained-Si layers as a function of strain.Ph......
用经典的方法合成了面式-三(2-(4-三氟甲基苯基)吡啶)合铱配合物(fac-Ir(tfmppy)3),并得到了其晶体结构。在CH2Cl2溶液中Ir(tfmppy......
通过定向合成Cu(I)配合物,首次将其作为阴极缓冲层引入到有机太阳能电池(OSCs)中。实验分析发现,OSCs的光电能量转换效率(PCE)与Cu......
制备了有机紫外光探测器(OUV-PD),器件结构为ITO/m-MTDATA(30nm)/m-MTDATA:BAlq(40~60nm,1∶1)/BAlq(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),并......
石墨烯一个广为人知的用途是能够保护金属免受氧化.我国学者最新的研究发现,基底上石墨烯自身的抗氧化性能会因基底而显著变化,在......
采用Stille缩聚,合成了3个异靛蓝并[7,6-g]异靛蓝(DIID)和乙烯单元交替排列的共轭聚合物P0F、P2F和P4F,三者在DIID单元中分别含0、......
ＧａＮＭＥＳＦＥＴ宽带隙半导体已在高温电子学和大功率微波器件领域日益引起人们的重视。这主要是因为宽带隙材料产热率较低，击穿电场较高。ＧａＮ材料不仅......
本文报道了薄膜ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ材料上全耗尽ＭＯＳＦＥＴ的制备情况，并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较．实验结果表明，全耗尽器件完全......
报道了采用反应电子束蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果。典型的结果：电阻率低达２×１０－４Ω．ｃｍ，霍尔电子迁移率为５２ｃｍ２（Ｖｓ）－１，厚４０００×１０－１０ｍ膜的方块电......
近年来，由于砷化镓集成电路（GaAsIC）的高速发展，对高质量的SI－GaAs单晶的要求越来越高，现已成为GaAsIC制造技术的关键之一。电子部南京电......
据《NEC技报》1996年第5期报道，NEC新开发的GaAs系大功率异质结FET，在1．2V电源电压下，获得1．Iw的输出功率和63％的功率附加效率。该器件在......
成功地制作出了常断 GaN 基 MODFET(调制掺杂 FET)。该器件的栅长和沟道长度分别为3和5μm,其非本征跨导高达120mS/mm,在正栅偏压......
本霍耳元件用化合物半导体异质结作为磁敏感部件。磁敏感部件上复盖了一层绝缘钝化膜。钝化膜的热膨胀系数与半导体层的热膨胀系......
