【摘 要】
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用三步法制备Cu(In,Ga)Se2薄膜,Se源温度的变化,会对第一步预制层In2Se3薄膜的表面形貌、成分比例以及晶相结构产生影响.本文改变Se源温度,采用多源共蒸发法制备In2Se3薄膜.结果表明,低Se源温度制备的In2Se3预制层中产生金属析出物,In2Se3结晶相以(006)衍射峰为择优取向,同时伴有InSe相的衍射峰出现;提高Se源温度,预制层表面形貌和组成成分都较好,In2Se3结晶
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071;云南大学材料科学与工程系,昆明,650091
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用三步法制备Cu(In,Ga)Se2薄膜,Se源温度的变化,会对第一步预制层In2Se3薄膜的表面形貌、成分比例以及晶相结构产生影响.本文改变Se源温度,采用多源共蒸发法制备In2Se3薄膜.结果表明,低Se源温度制备的In2Se3预制层中产生金属析出物,In2Se3结晶相以(006)衍射峰为择优取向,同时伴有InSe相的衍射峰出现;提高Se源温度,预制层表面形貌和组成成分都较好,In2Se3结晶相为(110)衍射峰择优.
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