高速沉积相关论文
氨基磺酸盐电镀镍由于具有高速沉积、内应力低的特点,在电子电镀中应用广泛,本文研究了氨基磺酸盐电镀镍工艺,同时介绍其电镀的工......
对于微晶硅薄膜电池，提高沉积速率是一种降低生产成本的有效方法，然而这会引起薄膜材料质量的下降，导致所制备电池的转换效率降低。本......
本文以微晶硅薄膜的沉积速率为重点，以优化沉积条件、提高微晶硅薄膜的沉积速率为目标，通过射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)和甚......
利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜。研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较......
采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不......
一、高速电弧喷涂预处理工艺rn高速电弧喷涂工艺包括工件表面的预处理、喷涂、喷后处理等几个大的步骤.高速电弧喷涂时,高压空气将......
采用超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术研究微晶硅(μc-Si)薄膜的高速沉积过程发现:分别采用100和500 sccm流量制备......
采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系......
利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,高速沉积器件级质量的微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了沉积压力、射频功率......
利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极......
本文采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术高速沉积微晶硅薄膜。系统研究了射频功率、气体总流量、沉积气压、硅烷浓度等......
采用激光化学气相沉积法在Al2O3基底上以49μm·h-1的沉积速率高速制备了c-轴取向的YBa2Cu3O 7-δ薄膜,其中,激光功率为133 W,......
作为沟槽式肖特基芯片的关键支撑层,硅外延层的性质对芯片性能构成重要影响。系统探索了新式高速外延生长工艺制备硅外延层的方法......
采用超高频（VHF）结合高压（HP）的技术路线,在较高SiH4浓度（SC）下实现了微晶硅（μc-Si：H）薄膜的高速沉积,考察了衬底温度在化学气相沉积（CVD）过......
相对于单晶硅和非晶硅来说,微晶硅薄膜太阳电池具有更多的优势。高速沉积高效微晶硅太阳电池已经成为当前研究的热点。综合介绍了......
通过射频等离子体增强化学气相沉积,在高气压条件下制备了微晶硅薄膜,并用拉曼光谱仪（Raman）、扫描电镜（SEM）研究了微晶硅薄膜的微观结......
实现高速沉积对于薄膜微晶硅太阳电池产业化降低成本是一个重要手段.采用超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,实现了......
本文采用高压高功率的VHF-PECVD技术在沉积速率～1.2nm/s时沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜。通过测试该系列材料的Raman谱,XR......
本文采用VHF-PECVD实现了高速沉积非晶硅电池,在保证材料质量的同时使得沉积速率达到10-20A/s。研究了气体滞留时间对于沉积速率的......
降低微晶硅太阳能电池的成本最直接有效的方法是提高沉积速率,这使微晶硅薄膜的高速沉积问题成为太阳能电池产业化进程中一个必须......
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