半导体纳米粒子BiS和NiS的非线性吸收特性

来源 :第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:h482649
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
测量了两种纳米粒子Bi<,2>S<,3>和NiS的光限幅特性和非线性光学响应,测量了非线性吸收特性,数值模拟计算了它们的非线性吸收系数分别为Bi<,2>S<,3>非线性吸收系数β≈9cm/GW,NiS非线性吸收系数β≈8cm/GW.
其他文献
本文通过对1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL结构优化,采用直接接触结构研制出了特性得到改善的1.3μmGaInNAs/GaAs VCSEL.激光器室温下的阈值电流为2mA,斜效率为0.12mW/mA,激光波长为1285.5nm,边模抑制比为34dB,峰值单模光功率为0.65mW,激光器的串联电阻为196Ω,6mA下的边模抑制比为41dB.
本文从大功率半导体激光器的光束质量出发,介绍了几种半导体激光器的光束整形技术,国际上利用这些技术得到了高亮度的激光输出,不仅仅可以用来泵浦固体激光器和光纤激光器,而且使大功率半导体激光器作为一种激光加工手段,直接应用在工业加工领域,具有广阔的市场前景.
本文利用传输矩阵方法计算了1.55微米Ge量子点RCE探测器的量子效率与各种参数的关系.结果表明:合理选择上下反射镜的反射率(R1,R2),Ge量子点RCE探测器的量子效率可以超过40﹪.通过对量子点材料进行长方形近似,发现探测器的响应在很窄的波长间隔内呈双模分布,两峰分别来源于浸润层和量子点区.理论研究表明,Ge量子点RCE探测器的量子效率只与量子点的高度和占空比有关,而对量子点的均匀性要求不高
采用Metropolis Monte Carlo(MC)方法研究了,不同杂质电荷以及高度对2维Wigner晶格的影响.该系统由有限个在抛物限制势场中带电粒子所组成,我们发现对不同粒子数系统,杂质效应会引致的两种不同类型的相变.其中具有幻数的系统具有很强的稳定性,杂质的影响较小,但随着杂质电荷的增加,其不同壳层之间会发生混合.
提出并分析和设计了一种Si基凹透镜载流子注入结构全内反射2×2光波导开关以及由这种2×2单元结构组成的高性能4×4光开关阵列.分别对该2×2结构光波导开关单元及其4×4结构光波导开关阵列的串音、反射损耗和消光比等进行了理论分析和模拟计算.计算得到:(1)对2×2光波导开关单元器件,其串音、反射损耗和消光比分别为-24dB、0.12dB和22dB;(2)对4×4光开关阵列,其总的串音、反射损耗和消光
理论分析和设计了一种用于850nm和1550nm两个光通信窗口的、集波长信号分离和光开关功能于一体的智能集成分波光开关,并将弧形结构全内反射面用于该集成结构中,基于Si基半导体SiGe合金材料的等离子体色散效应,对该结构智能集成分波光开关的串音、损耗、消光比等特性进行了分析和模拟计算.计算得到,作为光开关时器件的平均串音、插入损耗和消光比分别为-19dB、1.3dB和21dB,作为分波器时平均串音
本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硼的脱除方法.通过对电压、进水电导率(淡室、浓室)、流量(淡室、浓室、极室)、pH值等因素的研究,得出EDI最佳脱硼条件.EDI进水硼浓度为50ìg/L,最佳出水中硼含量为<1ìg/L.满足了大规模集成电路用水中硼的要求(对于兆位电路,硼要求<1ìg/L).
本文针对微波功率管在老化试验中出现的失效现象进行分析,对于改进微波功率管的设计和工艺,提高器件的可靠性具有一定意义.
采用标准CMOS工艺,在N型单晶(100)硅衬底上,研制成功一种视觉硅PN结光电探测器,对探测器进行了参数测试和分析,重点研究了探测器光响应信噪比.研究发现,增加减反射膜和特殊的光谱响应普段调节技术,特别是当减反射膜厚度为探测波长的一半时,探测器的相对响应度有最大值.在520nm左右,光响应信噪比可达10以上.研制的探测器对绿光探测灵敏,具有灵敏度高、暗电流小的特点,是一种可供选择使用的理想硅视觉
本文首次采用二维有限元方法计算了带缺陷四端口环形谐振腔结构的光场传播过程,并得到了其各端口响应谱图,用数值实验方法观察到了由于简并破坏而导致的谱分裂,并且采用时域和频域相结合的解析方法,分析了其谱分裂特征,以及随各参数的变化趋势,同时也计算了缺陷尺寸和多少的效应.