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我们利用自旋与电荷分别注入的机制,先后研制了多种新型稀磁半导体新体系,分别为“111”型Li(Zn,Mn)As和Li(Zn,Mn)P,“122”型(Ba,K)(Zn,Mn)2As2,(Sr,Na)(Zn,Mn)2As2和(Ca,Na)(Zn,Mn)2As2以及“1111”型(La,Ca)O(Zn,Mn)Sb.这些新型稀磁半导体中通过电荷与自旋掺杂位置的分离成功实现了电荷与自旋的分别调控,克服了长期以来制约经典的(Ga,Mn)As稀磁半导体发展的瓶颈.