新型稀磁半导体相关论文
我们利用自旋与电荷分别注入的机制,先后研制了多种新型稀磁半导体新体系,分别为“111”型Li(Zn,Mn)As和Li(Zn,Mn)P,“122”型(Ba,......
随着电子器件的微型化接近物理极限,面对日益增长的信息处理和存储要求,如何进一步利用电子的自旋属性成为当前自旋电子学研究的中......
稀磁半导体兼具磁性和半导体特性,在自旋电子领域具有广泛的应用前景。与传统的II-V族和III-V族稀磁半导体相比,I-II-V族基新型稀......
稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductor,DMS)是一种兼具半导体性与磁性且具有优异独特磁光、磁电功能的新型半导体材料。首先......
利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,计算了新型稀磁半导体母体YCuSO的能带结构和态密度以及介电函数、反射函数和吸......
作为半导体自旋电子学的重要组成部分,稀磁半导体（Diluted Magnetic Semiconductor,后文简称“DMS”）可将材料的磁、光、电等物性融......
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对新型稀磁半导体(La0.75Ba0.25)(Ag0.75Mn0.25)SO的电子能带结构、自旋极化态......
稀磁半导体兼具半导体材料和磁性材料的双重特性,是破解摩尔定律难题的方案之一.我们团队通过提出自旋和电荷分别掺杂的机制,研制......
