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随着超快激光脉冲的发展，THz技术成为研究物质性质的一种主要手段。很多实验证明，ZnTe单晶在低频THz区域(<5THz)是最佳的产生THz的电光材料。另外，由于ZnTe单晶的禁带宽度为2.26eV并且是直接带隙半导体，因此可以用来制作纯绿色光激发二级管(LEDs)和绿色激光二级管(LDs)。但是由于ZnTe的熔点较高(约为1300℃)、易碎，不容易生长出高质量、高纯度的ZnTe单晶，国内没有一家单位能够提供优质ZnTe单晶，用于THz辐射的ZnTe单晶主要依靠从美国和日本进口，这也无形地限制了国内对THz辐射的研究。