【摘 要】
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研究了ITO种子层诱导生长ZnO-TCO薄膜的微观结构和光电性能变化。XRD和SEM的研究结果表明,具有ITO种子层的未掺杂ZnO薄膜具有(110)峰特征的绒面结构。ITO种子层一方面降低了M
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所; 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室; 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室;
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划项目(Nos.2006CB202602和2006CB202603);科技部国际合作重点项目(No.2006DFA62390);博士启动基金项目(No.J02048)资助
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研究了ITO种子层诱导生长ZnO-TCO薄膜的微观结构和光电性能变化。XRD和SEM的研究结果表明,具有ITO种子层的未掺杂ZnO薄膜具有(110)峰特征的绒面结构。ITO种子层一方面降低了MOCVD技术生长ZnO薄膜的衬底温度,另外有效提高了ZnO薄膜的导电性能,并且形成光散射的粗糙表面,适合陷光结构应用。TEM测试表明,ITO种子层促进了薄膜晶化,减薄了ZnO初期生长的非晶成份。
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