【摘 要】
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铁电薄膜在制备的过程中,往往是生长在半导体的电极上,而使用的铁电薄膜往往也是同半导体进行集成,但是由于半导体电极不能够完全屏蔽薄膜表面电荷产生的退极化效应,这将对薄
【机 构】
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哈尔滨工业大学凝聚态科学与技术研究中心 黑龙江哈尔滨 150001
【出 处】
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2007'信息与通信工程、电子科学与技术、计算机科学与技术、机械工程全国博士生学术论坛
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铁电薄膜在制备的过程中,往往是生长在半导体的电极上,而使用的铁电薄膜往往也是同半导体进行集成,但是由于半导体电极不能够完全屏蔽薄膜表面电荷产生的退极化效应,这将对薄膜的性质产生很大的影响。针对这一问题,本文采用GLD唯象理论对半导体电极对铁电薄膜的介电及热释电性质的影响进行了理论研究,结果表明半导体电极的存在能够诱发铁电到顺电的相变,并使相变级别从二级变为一级,同时大大提高了铁电薄膜的极化率和热释电系数。
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