【摘 要】
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为了获得适用于非线性差频法产生太赫兹波的双波长半导体激光器,我们设计并利用普通光刻技术制备了一种双波长高阶光栅分布布拉格反射(DBR)激光器.这种DBR 激光器是在条
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室,吉林长春130033;中国科学院大学,北京100039焦作大学机电工程学院,河南焦作454000中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【出 处】
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第十届全国激光技术与光电子学学术会议
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为了获得适用于非线性差频法产生太赫兹波的双波长半导体激光器,我们设计并利用普通光刻技术制备了一种双波长高阶光栅分布布拉格反射(DBR)激光器.这种DBR 激光器是在条宽为100 μm 的光波导上,制备了一组周期为9.5 μm,沟槽宽度为1.36 μm,光栅长度为100 μm 的高阶光栅结构,实现高功率连续双波长激射,短波长光模式的边模抑制比大于35 dB,长波长光模式的边模抑制比39 dB,3 dB 光谱线宽均为0.04 nm,双波长间隔大于0.58 nm,适用于光混频产生太赫兹波.注入电流1.2 A 时,实现了单边88 mW 的高功率激射.
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